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    CVD-Dia

    다이아몬드 제품 라인업

    1. 세계 최고 수준의 열 성능을 구현한 세계 최초 제품
    2. CTE 제어 : GaN, GaAs, SiC 및 Si 반도체와의 열팽창계수(CTE) 매칭 구현
    3. 선택적 절연 및 전도성 CVD-Diamond 구조 구현이 가능한 유연한 설계
    Model *CD-Core
    Structure Cu/CVD-Dia./Cu
    Dia. Volume ratio ·
    Internal Structure Image
    CTE
    (ppm/K)    		 RT 3.0
    RT~200°C 3.2
    RT~400°C 3.4
    RT~800°C 4.6
    Thermal conductivity (W/m K) ~ 1200 ~
    *Values may vary depending on the upper and lower Cu skin thickness.
    Thickness (mm) 0.25 ≤t
    좌우 스크롤

    CVD-Diamond 웨이퍼

    CVD-Diamond의 성장면 제어

    CVD-Diamond 제품 특성

    · 매우 높은 TC (열전도도)
    · CTE (열팽창계수) 제어기술: GaN, GaAs, SiC, Si 반도체와 정확한 CTE 매칭

    CD (CVD-Diamond) Core

    • CD-Core structure

    • Diamond Core Cu Skin structure

    All Edges are very sharpened and clean : Radius < 10㎛, < 5㎛ optional

    Cross-section

    TDV (Through Diamond Via)

    • TDV structure

    • selectively conductive through vias

    Cross-section

    Diamond DBC (Direct-Bonded-Cu)

    Electrical Insulators

    · 회로설계 및 관통 홀을 통한 선택적 전도성 및 다이아몬드 절연을 통한 자유로운 회로 설계 가능
    · 적층형 3D 패키지에 적용 가능
    · 세계 최초 최고 성능의 CVD-다이아몬드 제품
    회사소개 제품소개 APPLICATIONS TGS Now
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